Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H-SiC substrates
Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H-SiC substrates
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6H-SiC 衬底上生长的 n 型 AlGaN 薄膜阴极的热电子发射和转换特性
DOI：
10.7567/1347-4065/ab5be4
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发表时间：
2020
影响因子：
1.5
通讯作者：
Ogino Akihisa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kimura Shigeya;Yoshida Hisashi;Uchida Shota;Ogino Akihisa
