Study of AlN Nucleation by Directional Sputtering for Growth of Orientation-Controlled GaN on Si(001) Substrates
Study of AlN Nucleation by Directional Sputtering for Growth of Orientation-Controlled GaN on Si(001) Substrates
复制标题
Si(001) 衬底上定向溅射 AlN 成核用于定向控制 GaN 生长的研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. J. Lee;S. Y. Bae;K. Lekhal;A. Tamura;Y. Honda;and H. Amano
