Defect control of Y2O3-based SiGe MOS interfaces properties
Defect control of Y2O3-based SiGe MOS interfaces properties
复制标题
Y2O3基SiGe MOS界面特性的缺陷控制
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.-E. Lee;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
