Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果(招待講演)
Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果(招待講演)
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Si MOS 界面粗糙度散射引起的迁移率和应变效应（特邀演讲）
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小山晋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高木信一;趙毅;竹中充;松本弘昭;佐藤岳志;小山晋
