Analysis of Fast and Slow Responses of Interface Traps in p-type SiC MOS Capacitors by Conductance Method
Analysis of Fast and Slow Responses of Interface Traps in p-type SiC MOS Capacitors by Conductance Method
复制标题
电导法分析 p 型 SiC MOS 电容器界面陷阱的快慢响应
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Karamoto;X.Zhang;D. Okamoto;M. Sometani;T. Hatakeyama;S. Harada;N. Iwamuro;and H. Yano
