S.Sugawa, I.Ohshima, H.Ishino, Y.Saito, M.Hirayama, T.Ohmi: "Advantage of Silicon Nitride Gate Insulator Transistor by using Microwave-Excited High-Density Plasma for applying 100nm Technology Node"2001 International Electron Device Meeting, TECHNICAL DIG
S.Sugawa, I.Ohshima, H.Ishino, Y.Saito, M.Hirayama, T.Ohmi: "Advantage of Silicon Nitride Gate Insulator Transistor by using Microwave-Excited High-Density Plasma for applying 100nm Technology Node"2001 International Electron Device Meeting, TECHNICAL DIG
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S.Sukawa、I.Ohshima、H.Ishino、Y.Saito、M.Hirayama、T.Ohmi：“采用微波激励高密度等离子体的氮化硅栅极绝缘晶体管在100nm技术节点应用中的优势”2001年国际电子
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