Electrical characteristics of heavily-doped junctionless nanoscale silicon-on-insulator transistors with single-electron tunneling functionalities
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具有单电子隧道功能的重掺杂无结纳米级绝缘体上硅晶体管的电特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Moraru
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. T. Jupalli;G. Prabhudesai;A. Debnath;D. Moraru
