パターン転写のマスク用の直径10nm広範囲超高密度のカーボンナノドット列の形成
パターン転写のマスク用の直径10nm広範囲超高密度のカーボンナノドット列の形成
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形成直径 10 nm 的超高密度碳纳米点行，用于图案转移掩模
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Huda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miftakhul Huda;Sumio Hosaka;Hiroshi Sakurai;M. Huda;M. Huda;M. Huda;M. Huda
