Naoyuki Takahashi: "In Situ observation of Atomic Layer Epitaxy of GaAs in He Carrier Gas system" 12th Symposium Record on Alloy Semiconductor physics and Electronic. 401-406 (1993)
Naoyuki Takahashi: "In Situ observation of Atomic Layer Epitaxy of GaAs in He Carrier Gas system" 12th Symposium Record on Alloy Semiconductor physics and Electronic. 401-406 (1993)
复制标题
高桥直之：《He载气系统中GaAs原子层外延的原位观察》第十二届合金半导体物理与电子学术研讨会记录。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
