Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe,T.Sugano: ""Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices"" Proc.of Int.Symp.on Foramation,Physics snd Device Apprication of Quantum Structures. 144- (1996)
Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe,T.Sugano: ""Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices"" Proc.of Int.Symp.on Foramation,Physics snd Device Apprication of Quantum Structures. 144- (1996)
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Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe,T.Sugano：““单电子器件高密度集成的非对称隧道势垒的优点””Proc.of Int.Symp.on Foramation、Physics snd Device Apparation of Quantum
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