First Demonstration of SiC MISFETs with 4H-AlN Gate Dielectric Heteroepitaxially-grown on 4H-SiC (11-20)
First Demonstration of SiC MISFETs with 4H-AlN Gate Dielectric Heteroepitaxially-grown on 4H-SiC (11-20)
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首次演示采用 4H-SiC 上异质外延生长的 4H-AlN 栅极电介质的 SiC MISFET (11-20)
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Horita;T. Kimoto;J. Suda
