矩形断面SiナノワイヤMOSFETにおけるフォノン散乱に制限された移動度のサイズ依存性
矩形断面SiナノワイヤMOSFETにおけるフォノン散乱に制限された移動度のサイズ依存性
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矩形截面硅纳米线 MOSFET 中声子散射受限迁移率的尺寸依赖性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岩井洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
細田倫央;李映勲;角嶋邦之;パールハット アヘメト;筒井一生;西山彰;杉井信之;名取研二;岩井洋
