H.Hasegawa,M.Akazawa,K.Matsuzaki and H.Ishii: "GaAs and Ino._<53>Gao._<47>As MIS Strutures Having an Ultrathin Pseudomorphic Interface Control Layer of Si Prepared by MBE" Jpn.J.Appl.Phys.27. L2265-L2267 (1988)
H.Hasegawa,M.Akazawa,K.Matsuzaki and H.Ishii: "GaAs and Ino._<53>Gao._<47>As MIS Strutures Having an Ultrathin Pseudomorphic Interface Control Layer of Si Prepared by MBE" Jpn.J.Appl.Phys.27. L2265-L2267 (1988)
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H.Hasekawa、M.Akazawa、K.Matsuzaki 和 H.Ishii：“GaAs 和 Ino._<53>Gao._<47>As MIS 结构，具有由 MBE 制备的超薄硅伪晶界面控制层”Jpn.J
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