Chemistry and band offsets of HfO2 thin films on Si revealed by photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy
Chemistry and band offsets of HfO2 thin films on Si revealed by photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy
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通过光电子能谱和 X 射线吸收光谱揭示 Si 上 HfO2 薄膜的化学性质和能带偏移
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Hirashita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Toyoda;J. Okabayashi;H. Kumigashira;M. Oshima;K. Ono;M. Niwa;K. Usuda;N. Hirashita
