Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique
Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique
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宽禁带氧化物半导体的氢化作为室温和 3D 兼容的电子掺杂技术
DOI：
10.1063/1.5055302
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Toriumi A.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yajima T.;Oike G.;Yamaguchi S.;Miyoshi S.;Nishimura T.;Toriumi A.
