Fully integrated vertical nanocontact photomixer for continuous-wave terahertz generation

Fully integrated vertical nanocontact photomixer for continuous-wave terahertz generation
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用于连续波太赫兹产生的完全集成垂直纳米接触光混频器

DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
影响因子：
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通讯作者：
H. Hartnagel
H. Hartnagel
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
S. Al;O. Yilmazoglu;F. Kuppers;H. Hartnagel

文献摘要

被引文献

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在LTG-GaAs/n+GaAs /SI-GaAs基片上制备了一种新型的全集成垂直纳米接触THz光混频器件，该器件具有单根直径为60 nm的银纳米线。新的垂直结构提供了简单的制造步骤，并在稳定性和天线集成方面提供了更好的性能。由于~7.5mA的高光电流和~ 0.6fF的小器件电容，THz输出功率本身可以增加。
A new type of a fully integrated vertical nanocontact THz photomixer was fabricated on LTG-GaAs/n+GaAs /SI-GaAs wafer with a single silver nanowire of ø60nm. The new vertical structure provides simple fabrication steps and better performance in terms of stability and antenna integration. The THz output power itself can be increased due to high photocurrent of ~7.5mA and small device capacitance of ~0.6 fF.