S. Hasegawa: "Structural change of polycrystalline Si films with different deposition temperature"J. Appl. Phys.. 85,7. 3844-3849 (1999)
S. Hasegawa: "Structural change of polycrystalline Si films with different deposition temperature"J. Appl. Phys.. 85,7. 3844-3849 (1999)
复制标题
S. Hasekawa：“不同沉积温度下多晶硅薄膜的结构变化”J。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
