AlInN/InN Metal Insulator Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistor (MISHFET) with Extremely High 2DEG
AlInN/InN Metal Insulator Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistor (MISHFET) with Extremely High 2DEG
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具有极高 2DEG 的 AlInN/InN 金属绝缘体半导体异质结构场效应晶体管 (MISHFET)
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.G.Bhuiyan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuro Niidome;Atsushi Shiotani;Takeshi Mori;Yoshiki Katayama;A.G.Bhuiyan;A.G.Bhuiyan
