S.Tanigawa: ""Creation and annealing out mechanism of defects in ion-implanted Si crystals investigated by positron annihilation"" MRS Symp.Proc.470. 287-297 (1997)
S.Tanigawa: ""Creation and annealing out mechanism of defects in ion-implanted Si crystals investigated by positron annihilation"" MRS Symp.Proc.470. 287-297 (1997)
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S.Tanikawa：“通过正电子湮没研究离子注入硅晶体中缺陷的产生和退火机制”MRS Symp.Proc.470。
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