硼素イオン注入による伝導度制御p型GaNエピ層を用いた縦型素子用JTE構造の設計
硼素イオン注入による伝導度制御p型GaNエピ層を用いた縦型素子用JTE構造の設計
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采用硼离子注入控制电导率的 p 型 GaN 外延层的垂直器件 JTE 结构设计
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原田信介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三浦喜直;平井悠久;中島昭;原田信介
