三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価
三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価
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采用三维基板的低温多晶硅TFT闪存特性评估
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
市川和典;松江将博;赤松浩;浦岡行治;市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治
