High pressure effect on the phase transition and in-plane anisotropy of SnSe
High pressure effect on the phase transition and in-plane anisotropy of SnSe
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高压对 SnSe 相变和面内各向异性的影响
DOI：
10.1016/j.jallcom.2020.155915
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发表时间：
2020-12
影响因子：
6.2
通讯作者：
Zeming Qi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shiyu Xie;Xuerui Cheng;Chuansheng Hu;Yajun Tao;Miao Liu;Zeming Qi
用光学和电学方法研究了半导体化合物SnSe在压力作用下的相变和面内各向异性。结果表明，在12GPa以上，观察到从半导体到半金属的电子跃迁，然后是PnmatoBbmm结构跃迁。在0.8GPa下还观察到结构转变，对应于从层状结构到块状结构的相变。SnSe的各向异性光学性质随压力的增加而降低，在12GPa时消失。我们的结果证实了压力可以诱导SnSe的结构和电子结构的转变。研究SnSe在压力下的各向异性光学特性，为发展基于应变的各向异性光学、光电子学和器件中的电子学提供了一条可行的途径。
The phase transition and the in-plane anisotropy of semiconductor compound SnSe under pressure were studied by optical and electronical methods. Our result showed that an electronic transition from semiconductor to semimetal was observed above 12 GPa, followed byPnmatoBbmmstructural transition. A structure transition was also observed at ∼8 GPa, corresponding to the phase transition from layered to bulk structure. The anisotropic optical property of SnSe reduces when increasing the pressure and disappeared at ∼12 GPa. Our results confirmed that the pressure can induce structural and electronic structure transition of SnSe. And the study of anisotropic optical property of SnSe under pressure supplies a viable route to developing the strain-based anisotropic optics, optoelectronics and electronics in devices.
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影响因子：
64.8
作者：
Zhao, Li-Dong;Lo, Shih-Han;Kanatzidis, Mercouri G.
通讯作者：
Kanatzidis, Mercouri G.
DOI：
--
发表时间：
2016-12
期刊：
arXiv: Materials Science
影响因子：
--
作者：
Robert L. Gonz'alez-Romero;A. Antonelli;J. Mel'endez
通讯作者：
Robert L. Gonz'alez-Romero;A. Antonelli;J. Mel'endez
影响因子：
24.2
作者：
Kunling Peng;Bin Zhang;Hong Wu;Xianlong Cao;Ang Li;Dingfeng Yang;Xu Lu;Guoyu Wang;Xiaodong Han;C. Uher;Xiaoyuan Zhou
通讯作者：
Kunling Peng;Bin Zhang;Hong Wu;Xianlong Cao;Ang Li;Dingfeng Yang;Xu Lu;Guoyu Wang;Xiaodong Han;C. Uher;Xiaoyuan Zhou
影响因子：
10.8
作者：
Ling, Xi;Huang, Shengxi;Dresselhaus, Mildred S.
通讯作者：
Dresselhaus, Mildred S.
影响因子：
8.6
作者：
Meng, JF;Polvani, DA;Badding, JV
通讯作者：
Badding, JV