Optical properties of layered (InxGa1-x)2Se3 buffer material deposited on GaAs(111) substrate for III-V/Silicon solar cell
Optical properties of layered (InxGa1-x)2Se3 buffer material deposited on GaAs(111) substrate for III-V/Silicon solar cell
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用于 III-V/硅太阳能电池的 GaAs(111) 衬底上沉积的层状 (InxGa1-x)2Se3 缓冲材料的光学特性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masafumi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li Wang;Hiroya Nakamura;Nobuaki Kojima;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
