Estimation of spin drift velocity considering effective magnetic field due to Rashba SOI in silicon spin MOSFET
Estimation of spin drift velocity considering effective magnetic field due to Rashba SOI in silicon spin MOSFET
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考虑硅自旋 MOSFET 中 Rashba SOI 产生的有效磁场的自旋漂移速度估计
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Koike
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Inoue;M. Shiraishi;Y. Ando;R. Ohshima;E. Shigematsu;H. Koike
