Long-Retention Ferroelectric-Gate FET with a (HfO_2)_x(Al_2O_3)_<1-x> Buffer-Insulating Layer for 1T FeRAM
Long-Retention Ferroelectric-Gate FET with a (HfO_2)_x(Al_2O_3)_<1-x> Buffer-Insulating Layer for 1T FeRAM
复制标题
用于 1T FeRAM 的具有 (HfO_2)_x(Al_2O_3)_<1-x> 缓冲绝缘层的长保持铁电栅极 FET
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rajangam Ilangovan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shigeki Sakai;Mitsue_Takahashi;Rajangam Ilangovan
