Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires
Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires
复制标题
埋入 SiO2 线的 InP/InGaAs DHBT 的制造
DOI：
10.1587/transele.e94.c.830
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发表时间：
2011
影响因子：
0.5
通讯作者：
K.Furuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Takebe;T.Kobayashi;H.Suzuki;Y.Miyamoto;K.Furuya
