Silicon-on-insulator by graphoepitaxy and zone-melting recrystallization of patterned films
Silicon-on-insulator by graphoepitaxy and zone-melting recrystallization of patterned films
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通过图案化薄膜的图形外延和区域熔融再结晶形成绝缘体上硅
DOI：
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发表时间：
1983
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Atwater
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Henry I. Smith;M. Geis;C. Thompson;H. Atwater
