Si/SiGe quantum wells: fundamentals to technology
Si/SiGe quantum wells: fundamentals to technology
复制标题
Si/SiGe 量子阱：技术基础
DOI：
10.1007/bf00125885
复制
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
B. Meyerson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Ismail;B. Meyerson
在本文中，我们将简要回顾Si/SiGe量子阱的生长以及应变对能带结构的影响。将展示此类层中增强的电子/空穴传输特性，并将讨论它们在 P 和 N 调制掺杂场效应晶体管 (MODFET) 等电子器件中的应用。在电路层面，将考虑在互补金属氧化物半导体（CMOS）电路实现中使用这些器件。
In this paper, we will briefly review the growth of Si/SiGe quantum wells and the effect of strain on the bandstructure. Enhanced electron/hole transport properties in such layers will be demonstrated, and their application in electronic devices such as P and N modulation-doped field-effect transistors (MODFET) will be discussed. At the circuit level, the use of these devices in a complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit implementation will be considered.