Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on the same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer
Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on the same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer
复制标题
在同一外延片上同时制作具有 In0.75Ga0.25As/InGaAs 沟道层的 PHEMT 和 MSM 光电探测器的特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hirohisa Taguchi;Yuta koreeda;Yutaka Endo;kouichi Sato;Kenya Yoshizawa;Yui Nishio;Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
