Performance improvement of pentacene based organic field-effect transistor with HfON gate insulator
Performance improvement of pentacene based organic field-effect transistor with HfON gate insulator
复制标题
HfON栅极绝缘体并五苯基有机场效应晶体管的性能改进
DOI：
10.1587/elex.8.1461
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发表时间：
2011
影响因子：
0.8
通讯作者：
S.Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Liao;H.Ishiwara;S.Ohmi
