プラズマ化学蒸着(CVD)法を用いたナローギャップアモルファスカーボン(a-C)半導体の創製
プラズマ化学蒸着(CVD)法を用いたナローギャップアモルファスカーボン(a-C)半導体の創製
复制标题
使用等离子体化学气相沉积 (CVD) 方法制造窄带隙非晶碳 (a-C) 半导体
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
林 紘平・山田 昌央・永田 祥弥・小林 龍太朗・本多 謙介
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
O. Kojima;Y. Iwasaki;T. Kita;and K. Akahane;林 紘平・山田 昌央・永田 祥弥・小林 龍太朗・本多 謙介
