Control of relative etch rates of SiO2 and Si in plasma etching
Control of relative etch rates of SiO2 and Si in plasma etching
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等离子体蚀刻中 SiO2 和 Si 相对蚀刻速率的控制
DOI：
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发表时间：
1975
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Heinecke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Heinecke
