H. Hasegawa., Y. Koyama., H. Hashizume: ""Properties of Metal-Semiconductor Interfaces Formed on n-type GaN""Jpn. J. Appl. Phys.. vol. 38. 2634-9 (1999)
H. Hasegawa., Y. Koyama., H. Hashizume: ""Properties of Metal-Semiconductor Interfaces Formed on n-type GaN""Jpn. J. Appl. Phys.. vol. 38. 2634-9 (1999)
复制标题
H. Hasekawa.、Y. Koyama.、H. Hashizume：““在 n 型 GaN 上形成的金属-半导体界面的特性””Jpn。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
