Low substrate temperature deposition of crystalline SiC using HWCVD
Low substrate temperature deposition of crystalline SiC using HWCVD
复制标题
使用 HWCVD 进行晶体 SiC 的低衬底温度沉积
DOI：
10.1016/j.tsf.2005.07.180
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
L. Houben
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Klein;R. Carius;F. Finger;L. Houben
