プラズマ後窒化HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS界面の電極依存性
プラズマ後窒化HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS界面の電極依存性
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等离子氮化后 HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS 界面的电极依赖性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
韓在勲;竹中充;高木信一
