J. L. Lee, L. Wei, S. Tanigawa, T. Nakagawa, K. Ohta and J. Y. Lee: "The effect of point defects on the electrical ectivation of Si‐implanted GaAs during rapid thermal annealing" IEEE Trans. on Electron Devices. 39. 176-183 (1992)
J. L. Lee, L. Wei, S. Tanigawa, T. Nakagawa, K. Ohta and J. Y. Lee: "The effect of point defects on the electrical ectivation of Si‐implanted GaAs during rapid thermal annealing" IEEE Trans. on Electron Devices. 39. 176-183 (1992)
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J. L. Lee、L. Wei、S. Tanikawa、T. Nakakawa、K. Ohta 和 J. Y. Lee：“快速热退火过程中点缺陷对硅注入 GaAs 电激活的影响”IEEE Trans 39。 .176-183 (1992)
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