Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers
Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers
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ScAlMgO4 衬底上 GaN 厚膜的卤化物气相外延及其用于制造独立式晶圆的自分离
DOI：
10.7567/apex.10.101001
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发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
Matsuoka Takashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ohnishi Kazuki;Kanoh Masaya;Tanikawa Tomoyuki;Kuboya Shigeyuki;Mukai Takashi;Matsuoka Takashi
影响因子：
1.8
作者：
KARPINSKI, J;JUN, J;POROWSKI, S
通讯作者：
POROWSKI, S