Accelerated Publication: Drain current enhancement and negligible current collapse in GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited HfO2 as a gate dielectric
Accelerated Publication: Drain current enhancement and negligible current collapse in GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited HfO2 as a gate dielectric
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加速出版：使用原子层沉积 HfO2 作为栅极电介质的 GaN MOSFET 中的漏极电流增强和可忽略不计的电流崩塌
DOI：
10.1016/j.mee.2010.02.013
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发表时间：
2010
影响因子：
2.3
通讯作者：
M. Hong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yu;W. Chang;Y. Chang;J. Kwo;Yuan Lin;S. Hsu;J. Hong;C. Tsai;M. Hong
