Y.Hashimoto: "Roles of Si insertion Layer at GaAs/AlAs heterointerface determined by X-ray photoemission Spectroscopy" J.Vac.Sci.Tech.(to be published). (1994)
Y.Hashimoto: "Roles of Si insertion Layer at GaAs/AlAs heterointerface determined by X-ray photoemission Spectroscopy" J.Vac.Sci.Tech.(to be published). (1994)
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Y.Hashimoto：“通过 X 射线光发射光谱确定 GaAs/AlAs 异质界面中 Si 插入层的角色”J.Vac.Sci.Tech.（待出版）。
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