Effect of Hydrostatic Pressure on the Electrical Resistivity of PrOs_4Sb_<12> up to 10 GPa
Effect of Hydrostatic Pressure on the Electrical Resistivity of PrOs_4Sb_<12> up to 10 GPa
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静水压力对高达 10 GPa 的 PrOs_4Sb_<12> 电阻率的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Kurita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
日野;荻田;宇田川 他3名;K.Sakai et al.;J.Wu;N. Kurita
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在填充方钴矿结构中实现新的近藤行为
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. 74
影响因子：
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作者：
Y.Aoki;H.Sugawara;H.Harima;H.Sato
通讯作者：
H.Sato
影响因子：
3.7
作者：
Bauer, ED;Frederick, NA;Maple, MB
通讯作者：
Maple, MB
压力对 PrOs4Sb12 超导性和反铁四极有序的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
J. Phys. Soc. Jpn. 75
影响因子：
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作者：
J.Custers;et al.;T.Onimaru et al.;T.Tayama et al.
通讯作者：
T.Tayama et al.
重费米子超导体 PrOs_4Sb_<12> 中磁场感应四极有序的证据
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. Vol.72 No.5
影响因子：
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作者：
日高芳樹;甲斐昌一;et al.;M.Kohgi et al.
通讯作者：
M.Kohgi et al.