Surface assessment after removing III-V layer on III-V/silicon-on-insulator wafer fabricated by plasma activated bonding
Surface assessment after removing III-V layer on III-V/silicon-on-insulator wafer fabricated by plasma activated bonding
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通过等离子体激活键合制造的 III-V/绝缘体上硅晶圆上去除 III-V 层后的表面评估
DOI：
10.7567/jjap.53.118003
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and S. Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Suzuki;Y. Hayashi;Y. Kuno;J. Kang;T. Amemiya;N. Nishiyama;and S. Arai
