Carrier lifetime dependence on doping, metal implants and excitation density in Ge and Si
Carrier lifetime dependence on doping, metal implants and excitation density in Ge and Si
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载流子寿命取决于 Ge 和 Si 中的掺杂、金属注入和激发密度
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Clauws
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Gaubas;J. Vanhellemont;E. Simoen;I. Romandic;W. Geens;P. Clauws
