Hydrogen trapping enhanced by ion induced damages in silicon
Hydrogen trapping enhanced by ion induced damages in silicon
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硅中离子诱导损伤增强氢捕获
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C.Thomas
中科院分区：
文献类型：
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作者：
張雅素、焦爽、芳賀信彦;ほか;Timothy J.Stasevich;C.Thomas
