Interaction between 2D electrons and 3D metal-insulator transition in VO2-channel transistors
Interaction between 2D electrons and 3D metal-insulator transition in VO2-channel transistors
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VO2 沟道晶体管中 2D 电子与 3D 金属绝缘体跃迁之间的相互作用
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yajima;T. Nishimura;and A. Toriumi
