Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs
Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs
复制标题
全面了解双轴应变 Si MOSFET 的表面粗糙度和库仑散射迁移率
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Zhao;M. Takenaka;S. Takagi
