Growth of free-standing bulk wurtzite AlxGa1−xN layers by molecular beam epitaxy using a highly efficient RF plasma source
Growth of free-standing bulk wurtzite AlxGa1−xN layers by molecular beam epitaxy using a highly efficient RF plasma source
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使用高效射频等离子体源通过分子束外延生长独立式块体纤锌矿 AlxGa1−xN 层
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. T. Foxon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Novikov;C. R. Staddon;S. Sahonta;R. Oliver;C. Humphreys;C. T. Foxon
影响因子：
1.8
作者：
S. Novikov;C. R. Staddon;R. E. L. Powell;A. Akimov;F. Luckert;P. Edwards;R. Martin;A. Kent;C. T. Foxon
通讯作者：
S. Novikov;C. R. Staddon;R. E. L. Powell;A. Akimov;F. Luckert;P. Edwards;R. Martin;A. Kent;C. T. Foxon