T.Saito: "Electronic structure of piezoelectric In_<0.2>Ga_<0.8>N quantum dots in GaN calculated using a tight-binding method"Physica E. 15. 169-181 (2002)
T.Saito: "Electronic structure of piezoelectric In_<0.2>Ga_<0.8>N quantum dots in GaN calculated using a tight-binding method"Physica E. 15. 169-181 (2002)
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T.Saito：“使用紧束缚方法计算的 GaN 中压电 In_<0.2>Ga_<0.8>N 量子点的电子结构”Physica E. 15. 169-181 (2002)
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