Study on Operation of a Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode

Study on Operation of a Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode
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带中间电极的铁电栅场效应晶体管存储器的工作研究

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
IEEE Transaction on Electron Devices Vol.51, No.5
影响因子：
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通讯作者：
S.Horita
S.Horita
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T.D.Khoa;S.Horita

文献摘要

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