Y.Furukawa, H.Yonezu, K.Ojima, K.Samonji, et al.: "Control of N content of GaPn Grown by Molecular Bean Epitaxy and Growth of GaPN Lattice-Matched to Si(100) Substrate"Japanese Journal of Applied Physics. 41・2A. 528-532 (2002)
Y.Furukawa, H.Yonezu, K.Ojima, K.Samonji, et al.: "Control of N content of GaPn Grown by Molecular Bean Epitaxy and Growth of GaPN Lattice-Matched to Si(100) Substrate"Japanese Journal of Applied Physics. 41・2A. 528-532 (2002)
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Y.Furukawa、H.Yonezu、K.Ojima、K.Samonji 等人：“通过分子豆外延生长的 GaPn 的 N 含量的控制以及与 Si(100) 基板匹配的 GaPN 晶格的生长”日本应用杂志物理学 41・2A. 528-532 (2002)
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