Coexistence of Schottky barrier and skewed electronic band structure in ferroelectric BaTiO3 thin film
Coexistence of Schottky barrier and skewed electronic band structure in ferroelectric BaTiO3 thin film
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铁电 BaTiO3 薄膜中肖特基势垒与偏态电子能带结构的共存
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Kano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Huang;S. Yasui;A. Yasui;E. Ikenaga;N. Oshime;T. Kikuta;Y. Terasawa;S. Yasuhara;S. Hinokuma;Z. Zhang;T. Okubo;J. Kano
